Главная >> Развитие микроэлектроники и оптоэлектроники XIX в. >> Электронная промышленность в СССР
Электронная промышленность в СССР
Электронная промышленность в СССР

В начале 1960-х гг. развитие микроэлектроники в Советском Союзе по масштабу, динамике и результатам сопоставимо лишь с разработкой атомного проекта под руководством И. Курчатова и созданием ракетно-космического комплекса под руководством С. Королева в конце 1950-х гг. Бурное и успешное развитие отечественной микроэлектроники в этот период было обусловлено тремя императивами экономики России: военному противостоянию с Западом, подъему народного хозяйства после тяжелейших последствий Второй мировой войны и помощи странам социалистического лагеря и третьего мира.

Важным и определяющим в истории электронной промышленности стало создание в 1961 г. Государственного комитета по электронной технике (ГКЭТ), во главе которого был назначен выдающийся организатор промышленности и науки А. Шокин. ГКЭТ включил в себя ряд научно-исследовательских институтов (НИИ), конструкторских бюро (КБ) и опытных заводов, производящих электронные приборы. В 1962 г. был образован крупный Научный центр микроэлектроники в г. Зеленограде, предприятия которого и в настоящее время играют важнейшую роль в отечественной микроэлектронике. Это был мощный научно-производственный комплекс с базой для обучения, который обеспечил решение проблем в области материаловедения для микроэлектроники, создания технологического оборудования и применения микроэлектронных приборов. Упрощенная схема разработки и выпуска микроэлектронных приборов и аппаратуры выглядела следующим образом: многопрофильный НИИ по разработке аппаратуры формулировал технические задания на новые микросхемы; далее следовали разработчики микросхем; технологи, материаловеды, создатели спецоборудования, испытатели и разработчики стандартов и заводы.

В 1965 г. ГКЭТ был преобразован в Министерство электронной промышленности СССР. Началась широкая разработка и массовый выпуск ИЭТ в интересах обороны страны и народного хозяйства. В 1965 г. была разработана «Генеральная схема развития и размещения электронной промышленности СССР на период до 1980 г.». В этом плане были определены технические, экономические и региональные принципы развития отрасли, а также основные технико-экономические параметры производства. К середине 1970-х гг. в СССР была создана крупнейшая микроэлектронная отрасль.

В СССР первый планарный транзистор был разработан в 1963 г. в НИИ "Пульсар". Он стал основным активным элементом гибридных ИС. Освоение технологии и выпуск первых планарных транзисторов состоялся в 1965-1966 гг. Первые отечественные ИС были созданы в 1965-1966 гг., а первая микросхема на МОП транзисторах была разработана в конце 1960-х гг. в ЦКБ Воронежского завода полупроводниковых приборов. В дальнейшем на базе МОП технологии было создано целое поколение отечественных БИС и СБИС.

Оптоэлектронные приборы также были освоены в нашей стране практически без отставания от США. Лазеры и светодиоды разрабатывались и выпускались в НИИ «Сапфир», НИИ «Зенит», НИИ «Полюс». Советские ученые и инженеры внесли значительный вклад в развитие фоточувствительных СБИС на приборах с зарядовой связью. Первые ПЗС были созданы в НИИ "Пульсар" в 1973 г., через четыре года после их изобретения.

Начиная с 1975 г. в СССР разрабатывались межотраслевые целевые программы по выпуску интегральных схем. Переход к сверхбольшим интегральным схемам потребовал серьезных технологических и организационных изменений. В области цифровых СБИС эти проблемы решались в НИИ Молекулярной электроники, НИИ Точной технологии, НИИ Микроприборов и др. В области фоточувствительных интегральных схем НПО «Электрон» и НИИ «Пульсар

Первые публикации о разработке отечественных стеклянных волоконных световодов для передачи информации появились в 1975 г. Эти работы проводились под руководством Е. Дианова в ФИАН и в Институте химии АН СССР (ИХ) под руководством Г. Девятых. В конце 1970-х гг. в МЭП были разработаны все требуемые для ВОЛС элементы: полупроводниковые излучающие диоды, суперлюминесцентные и лазерные диоды, цифровые передающие модули. Работы по созданию оптического волокна проводили институты АН СССР и Государственном оптическом институте им. С. Вавилова (ГОИ). В 1981 г. в ГОИ было создано оптическое волокно со структурой "кварц-полимер", которое обладало хорошими характеристиками. Уже в начале 1980-х гг. были разработаны ВОЛС различного назначения, в частности, бортовые ВОЛС для самолетов и наземных подвижных объектов.

В 1953 г. под руководством академика С. Лебедева в Институте точной механики и вычислительной техники АН СССР (ИТМиВТ) были разработаны высокопроизводительные электронно-вычислительные машины модели БЭСМ, не уступающие западным аналогам. ЭВМ БЭСМ-6 была создана в 1967 г. Она получила очень широкое распространение во многих отраслях народного хозяйства. Элементная база для БЭСМ-6 создавалась в Научном центре микроэлектроники в Зеленограде. В 1980-е гг. появилась новая модель супер-ЭВМ -вычислительный комплекс "Эльбрус", который до настоящего времени используется в отечественной оборонной и космической технике. В 1970-е гг. были также разработаны оригинальные мини- и микро-ЭВМ семейства "Электроника", которые широко использовались в промышленности.

В период "перестройки" в СССР (конец 1980 гг. - 1990-е гг.) развитие ЭВМ и компьютеров замедлилось из-за политических осложнений и экономических катаклизмов. Приоритет закупок зарубежной технологической и элементной базы повлек общую стагнацию в электронной отрасли СССР и резко замедлил развитие массовой бытовой отечественной вычислительной техники.

1991 г. стал годом "обвала" электронной промышленности СССР. Предприятия МЭП и оборонной промышленности были лишены государственной и финансовой поддержки для ведения конкурентной борьбы с зарубежной электроникой. К 1998 г. доля отечественной электроники на внутреннем рынке, некогда занимавшей самые привилегированные позиции в экономике страны, значительно снизилась.

Тем не менее, базовые электронные предприятия смогли выжить в это сложное время, сохранить производство, разработать ряд новых высоких технологий. В конце 1990 гг. отечественная электроника стала наращивать производство и даже смогла выйти на внешний рынок. В 2000 г. объем экспорта превысил 100 млн. долларов в год. По мнению большинства ученых и специалистов, возрождение отрасли связано с научной и инженерной школой, заложенной в 1960-е гг.

Период 1960-1980-х гг. характеризуется становлением в высокоразвитых странах микроэлектроники и оптоэлектроники, как одного из самых перспективных ее направлений.

Политическая напряженность, существовавшая в мире в рассматриваемый период была важной, но не единственной причиной бурного развития электроники и микроэлектроники. Объективной предпосылкой для революции в электронике 1960-х гг. стал большой объем накопленных знаний и внутренняя логика развития научно-технического прогресса. Создание транзистора, планарной технологии, лазеров и технологии получения сложных полупроводниковых соединений составили содержание и суть этой революции.

Началась эра микропроцессоров и микрокомпьютеров, обусловленная появлением МОП-технологии и бурным развитием интегральных схем. Общество оказалось на пороге перехода к цифровым технологиям. Этот период развития техники называют началом "кремниевой цивилизации". Создание микрокомпьютера и волоконно-оптических линий связи не только заложило основы глобальной информационной связи, но и оказало громадное влияние на формирование человеческого сообщества вообще. О значении этого периода в развитии научно-технического прогресса говорит и такой факт: Национальная инженерная академия США (NAE) причислила лазерную волоконно-оптическую связь к величайшим достижениям оптической техники в XX в. Оно сопоставимо с изобретением паровой машины, электрической лампы и транзистора.

Были заложены основы и определены пути развития принципиально нового направления в оптоэлектронике - теории и технологии полупроводниковых гетероструктур. Достижения современной электроники, включая развитие волоконно-оптических линий связи, стали возможными только благодаря изобретению инжекционных полупроводниковых лазеров на гетероструктурах.

СБИС на ПЗС появились благодаря прогрессу МОП технологии и стали базой для твердотельного телевидения, поскольку они смогли заменить передающие телевизионные трубки. Кристаллы ПЗС стали основой бытовых и промышленных передающих камер и цифровых фотоаппаратов.

 
Интересная статья? Поделись ей с другими:

Кто на сайте

Сейчас на сайте находятся:
 162 гостей 

Поиск по сайту

Новое о "Челюскин"

О. Шмидт – Арктика.

Полярный поход парохода "Челюскин" 1933/34 года привлек благодаря своей особой судьбе внимание многих миллионов. Эта...

О. Шмидт - Советская работа в Арктике.

Пользуясь лучшими достижениями международной науки, советские исследователи совершенно по-новому поставили задачу овладения Арктикой. Они ввели...

О. Шмидт - О «Челюскин».

В 1933 году было решено повторить поход "Сибирякова" - вновь выйти для сквозного прохода Северным...

О. Шмидт - Состав экспедиции и команды парохода «Челюскин».

Подбор людей - важнейшая часть организации любого дела. Особенно это относится к экспедициям, в которых...

О. Шмидт - Переход. Ленинград - Копенгаген – Мурманск.

Переход до Мурманска конечно не является экспедиционным плаванием, но для нас он имел тогда существенное...

О. Шмидт - Мурманск - мыс Челюскин.

В этой статье мы не будем касаться подробностей плавания, которые с навигационной стороны освещены в...

О. Шмидт - Море Лаптевых и Восточносибирское.

Первая половина нашего пути заканчивалась у мыса Челюскина. Она прошла очень трудно. Что нас ждет впереди,...

О. Шмидт - Колючинская губа.

От мыса Северного "Челюскин" шел уже девяти-десятибалльным льдом, т.е. льдом, покрывавшим от 90 до 100...

О. Шмидт - Берингов пролив.

Дрейф кружил наш пароход. Несколько раз мы проносились мимо мыса Сердце-Камень и снова отодвигались назад...

О. Шмидт - Зимовка.

"Литке" ушел. И все же мы еще не знали наверное, зазимуем мы или нет. Ветер...

О. Шмидт - На льдине.

13 февраля сильное сжатие прошло через место стоянки парохода, и "Челюскин" затонул на 68° северной...

О. Шмидт – Итоги экспедиции «Челюскин».

"Челюскин" не вышел в Тихий океан, а погиб, раздавленный льдами. Тем не менее проход до...

Новое по мировой истории

Масленица - история и традиции

Масленица - история и традиции

Масленица – один из немногих языческих праздников сохранившихся после принятия...

Разрушительные стихии над Европой в начале XXI века

Разрушительные стихии над Европой в начале XXI века

Ранее считалось, что стихийные бедствия, происходящие на земле, имеют исключительно...

Иштван I

Иштван I

В 973 году правитель Венгрии, князь Геза, отправил к германскому...

Великий поход Мао Цзэдуна

Льстивая пропаганда не скупилась для своего вождя на хвалебные эпитеты:...

Местное управление в России XVII века

Местное управление в России XVII века

По сравнению с центральным местное управление имело более сложную структуру....

Приказы в России XVII века

Приказы в России XVII века

Центральное управление осуществляли приказы (общегосударственные, дворцовые,...

Состав Думы в России XVII века

Состав Думы в России XVII века

Члены Думы, являясь советниками царя по вопросам законодательства, и сами...

Боярская дума и характер законотворческой деятельности в России XVII века…

Боярская дума и характер законотворческой деятельности в России XVII века

В правление царя Алексея Михайловича система государственного управления, формировавшаяся с...

Приказная система управления в России XVII века в оценке историков

Приказная система управления в России XVII века в оценке историков

Оценка историками сложившейся к концу XVII в. системы управления, прежде...

Преемственность двух эпох

Преемственность двух эпох

Начиная с работ Г.Ф. Миллера, в исторической науке утвердился взгляд...

  • Cheluskin_vo_ldah_2.jpg
  • fig_2.jpg
  • Cheluskin_otplytie_iz_Leningrada.jpg
  • lager_SHmidta.jpg
  • Stroitelstvo_Cheliuskin(Lena).jpg
  • Cheluskin_vo_ldah_1.jpg
  • 135.jpg
  • fig_1.jpg
  • esche_Lena.jpg
  • photo.jpg